北京京誠宏泰科技有限公司三菱IGBT模塊CM400DU-12NF

日本Mitsubishi三菱IGBT功率模塊CM400DU-12NF

2單元半橋IGBT模塊CM400DU-12NF

CM400DU-12NF技術(shù)參數(shù)：vces=600v ；IC=400A

CM400DU-12NF用中的注意事項(xiàng)

由于

IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：

在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸; 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊; 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極zui大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。

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IGBT芯片發(fā)展進(jìn)程

　　IGBT芯片始于19世紀(jì)80年代中期。30年以來，就FOM(優(yōu)點(diǎn)指數(shù))來說，今日的IGBT芯片比*代性能提升了20倍左右，其中改良技術(shù)包括：精細(xì)化加工工藝、柵式IGBT的開發(fā)(如三菱電機(jī)的CSTBT)，以及薄晶圓的開發(fā)等等。如今，三菱電機(jī)的IGBT芯片已經(jīng)踏入第7代，正朝第8代邁進(jìn)。

　　隨著產(chǎn)品的更新?lián)Q代，功耗越來越低，尺寸越來越小。從80年代中期至今，芯片尺寸只是原來的1/4。

　　根據(jù)IGBT電流容量和市場需求，功率器件分成四大類，包括用于家電變頻器的小功率器件，用于工業(yè)的較大功率器件，應(yīng)用在電動汽車的中功率器件，用于電力和牽引的大功率器件。今后都將朝高電流密度、小型化封裝及低損耗方向演進(jìn)。

　　具體改良措施

　　三菱電機(jī)第7代IGBT模塊，功耗降低了約15%~20%，分NX(通用)系列和STD(標(biāo)準(zhǔn))系列兩種封裝，取消了絕緣基板，提高了散熱性，使產(chǎn)品變得更輕，效率提升了35%。為了降低反復(fù)開關(guān)造成的噪音，三菱電機(jī)增強(qiáng)了通過柵極電阻調(diào)節(jié)dv/dt的可控性。

　　● 晶圓片更薄。芯片變薄，使功耗得以降低，但變薄后耐壓特性會變差，所以要適度逐層調(diào)整，才能使之更耐用和更有效。第7代IGBT芯片涵蓋的電壓等級有600V、1200V和1700V。 在晶圓尺寸方面，從2000年開始的5英寸，發(fā)展至今日的8英寸，zui薄達(dá)到50微米。晶圓還會繼續(xù)朝12英寸發(fā)展，產(chǎn)品變得更薄，電阻更低。

　　目前之所以8英寸晶圓是主流，除了晶圓尺寸外，還要考慮基板問題?，F(xiàn)在還沒有供應(yīng)商能提供12英寸穩(wěn)定高壓IGBT使用的基板;反觀8英寸單晶硅的硅板基板供貨穩(wěn)定，價格比12英寸低很多。

　　● 封裝。功率器件的封裝技術(shù)決定其散熱性能。為了保護(hù)裸晶圓不受外界干擾，IGBT及IPM模塊都要封裝起來，甚至把功能集成起來，這樣使用起來更方便及安全，也縮短客戶產(chǎn)品開發(fā)周期。在一代的封裝技術(shù)中，三菱電機(jī)采用了針型散熱器，結(jié)合到銅基板或鋁基板上，系統(tǒng)將更小型化。北京京誠宏泰科技有限公司IGBT模塊CM400DU-12NF

　　● 應(yīng)用。需要根據(jù)一些特殊應(yīng)用調(diào)整產(chǎn)品。例如電動汽車IGBT與一般工業(yè)用的IGBT在技術(shù)工藝性能上的主要區(qū)別在生產(chǎn)工序，因?yàn)槭擒囕d產(chǎn)品，需要實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)車載級模塊。在IGBT加工工序的開始，每個生產(chǎn)工序都需要管理，對生產(chǎn)過程進(jìn)行精細(xì)控制，產(chǎn)品出貨時要有檔案管理。如果有一個產(chǎn)品出問題，馬上可以查到數(shù)據(jù)。目前，日系混合動力車基本上使用三菱電機(jī)的模塊。

IXYS的HiPerMOSFET，由于內(nèi)置了恢復(fù)速度快，恢復(fù)特性良好的二極管，無論在動態(tài)和靜態(tài)狀態(tài)下，dv/dt的特性都得以提高，從而使HiPerFET在更惡劣的條件下也能安全工作，因此，它適合在各種感性負(fù)載作為開關(guān)器件。

其中的Q-classMOSFET，在此基礎(chǔ)上采用了新的芯片技術(shù)，減少了門極充電電量Qg和米勒電容Crss，因而大大的提高了器件的開關(guān)效率和頻率。

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